DOI: https://doi.org/10.30837/1563-0064.3.2018.162777

УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДА СОЗДАНИЯ КОНТАКТОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ К ПОРИСТЫМ ПОЛУПРОВОДНИКАМ

Анатолий Петрович Оксанич, Сергей Эмильевич Притчин, Максим Григорьевич Когдась, Алексей Григорьевич Холод, Михаил Анатольевич Мащенко

Аннотация


Установливается, что качество контактов определяется, главным образом, характером распределения химических элементов в приконтактной области, а также временем и температурой отжига контактной структуры. Данный метод позволяет получить контакты с удельным сопротивлением ρк ≈ 1,1·10-4 Ом·см2 при температуре отжига 350 0 С и времени отжига 30 мин. Предложенный метод позволяет уменьшить коэффициент неидеальности контакта с барьером Шоттки с 1,7 до 1,2.


Ключевые слова


полупроводник; пористость; GaA; диод Шоттки

Полный текст:

PDF(РУССКИЙ)

Литература


Newman N., M. van Schilfgaarde, Kendelewicz T., Williams M.D., W.E. Spicer Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces/ // Phys. Rev. B. 1986. V.33, n.2. P.1146-1159.

Heng-Yong Nie and Yasuo Nannichi. Pd-on-GaAs Schottky Contact: Its Barrier Height and Response to Hydrogen // Jpn. J. Appl. Phys. 30. 1991. Р. 906-913.

Nguyen D., Jaffrezic-Renault N., Martin J.R., Clechet P. and Stremsdoeder G. Contact Reactions in Pd/n-GaAs Junctions Formed by Palladium Electroless Deposition // J. Electrochem. Soc., Vol. 140, No. 2, February 1993. Р. 519-525.

Çankaya G., Abay B. Semicond Current- and capacitance-voltage characteristics of Cd/p-GaTe Schottky barrier diodes under hydrostatic pressure // Sci. Technol. 21(2006)124.

Gaponenko Sergey V. Introduction to Nanophotonics Cambridge University Press. 2010. 485p.

Giovanni Flamand* and JefPoortmans Porous GaAs as a possible antireflective coatingand optical diffusor for III–V solar cells // Phys. stat. sol. (a) 202, No. 8, 2005. Р. 1611–1615.

Alireza Salehi, Alireza Nikfarjam, and Dara Jamshidi Kalantari Highly Sensitive Humidity Sensor Using Pd/Porous GaAs Schottky Contact // IEEE SENSORS JOURNAL. Vol. 6, NO. 6, DECEMBER. 2006. Р. 1415-1421.

Newman N., M. van Schilfgaarde, Kendelewicz T., Williams M.D., Spicer W.E. Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 33, n.2. P.1146-1159.

Heng-Yong Nie and Yasuo Nannichi. Pd-on-GaAs Schottky Contact: Its Barrier Height and Response to Hydrogen // 1991 Jpn. J. Appl. Phys. 30. Р. 906-913.

Salehi A., Jamshidi Kalantari D., Goshtasbi A. Rapid Response of Au/Porous-GaAs Humidity Sensor at Room Temperature // Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2006. 6-8 Dec. 2006. P. 125 – 128.

Salehi A., Nikfarjam A., and Kalantari D.-J. Pd/porous-GaAs Schottky contact for hydrogen sensing applications // Sens. Actuators B, Chem., Jan. 2006. Vol. 113, no. 1. P. 419–427.

Çankaya G., Abay B., Current- and capacitance-voltage characteristics of Cd/p-GaTe Schottky barrier diodes under hydrostatic pressure Semicond. Sci. Tech-nol. 21(2006)124.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Copyright (c) 2019 Радиоэлектроника и информатика

Creative Commons License
Эта работа лицензирована Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.