УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДА СОЗДАНИЯ КОНТАКТОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ К ПОРИСТЫМ ПОЛУПРОВОДНИКАМ
DOI:
https://doi.org/10.30837/1563-0064.3.2018.162777Ключевые слова:
полупроводник, пористость, GaA, диод ШотткиАннотация
Установливается, что качество контактов определяется, главным образом, характером распределения химических элементов в приконтактной области, а также временем и температурой отжига контактной структуры. Данный метод позволяет получить контакты с удельным сопротивлением ρк ≈ 1,1·10-4 Ом·см2 при температуре отжига 350 0 С и времени отжига 30 мин. Предложенный метод позволяет уменьшить коэффициент неидеальности контакта с барьером Шоттки с 1,7 до 1,2.
Библиографические ссылки
Newman N., M. van Schilfgaarde, Kendelewicz T., Williams M.D., W.E. Spicer Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces/ // Phys. Rev. B. 1986. V.33, n.2. P.1146-1159.
Heng-Yong Nie and Yasuo Nannichi. Pd-on-GaAs Schottky Contact: Its Barrier Height and Response to Hydrogen // Jpn. J. Appl. Phys. 30. 1991. Р. 906-913.
Nguyen D., Jaffrezic-Renault N., Martin J.R., Clechet P. and Stremsdoeder G. Contact Reactions in Pd/n-GaAs Junctions Formed by Palladium Electroless Deposition // J. Electrochem. Soc., Vol. 140, No. 2, February 1993. Р. 519-525.
Çankaya G., Abay B. Semicond Current- and capacitance-voltage characteristics of Cd/p-GaTe Schottky barrier diodes under hydrostatic pressure // Sci. Technol. 21(2006)124.
Gaponenko Sergey V. Introduction to Nanophotonics Cambridge University Press. 2010. 485p.
Giovanni Flamand* and JefPoortmans Porous GaAs as a possible antireflective coatingand optical diffusor for III–V solar cells // Phys. stat. sol. (a) 202, No. 8, 2005. Р. 1611–1615.
Alireza Salehi, Alireza Nikfarjam, and Dara Jamshidi Kalantari Highly Sensitive Humidity Sensor Using Pd/Porous GaAs Schottky Contact // IEEE SENSORS JOURNAL. Vol. 6, NO. 6, DECEMBER. 2006. Р. 1415-1421.
Newman N., M. van Schilfgaarde, Kendelewicz T., Williams M.D., Spicer W.E. Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 33, n.2. P.1146-1159.
Heng-Yong Nie and Yasuo Nannichi. Pd-on-GaAs Schottky Contact: Its Barrier Height and Response to Hydrogen // 1991 Jpn. J. Appl. Phys. 30. Р. 906-913.
Salehi A., Jamshidi Kalantari D., Goshtasbi A. Rapid Response of Au/Porous-GaAs Humidity Sensor at Room Temperature // Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2006. 6-8 Dec. 2006. P. 125 – 128.
Salehi A., Nikfarjam A., and Kalantari D.-J. Pd/porous-GaAs Schottky contact for hydrogen sensing applications // Sens. Actuators B, Chem., Jan. 2006. Vol. 113, no. 1. P. 419–427.
Çankaya G., Abay B., Current- and capacitance-voltage characteristics of Cd/p-GaTe Schottky barrier diodes under hydrostatic pressure Semicond. Sci. Tech-nol. 21(2006)124.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2019 Радиоэлектроника и информатика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
The author(s) of a manuscript agree that if the manuscript is accepted for publication in “Radioelectronics&Informatics Journal”, the published article will be copyrighted using a Creative Commons “Attribution-Non Commercial-Share Alike” license. This license allows the author(s) to retain the copyright, but also allows others to freely copy, distribute, and display the copyrighted work, and derivative works based upon it, under certain specified conditions.