ОСОБЛИВОСТІ РОСТУ І БУДОВИ КАТОДНОГО ДЕПОЗИТУ, ОТРИМАНОГО ПРИ ПЛАЗМОВО-ДУГОВОМУ СИНТЕЗІ ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОТРУБОК

Авторы

  • Віктор Григорович Удовицький канд. техн. наук, с.н.с., завідувач НДЛ наноструктур Наукового фізико-технологічного центру МОН та НАН України., Ukraine
  • Олександр Юрійович Кропотов канд. фіз.-мат. наук, доцент Харківського національного університету ім. В.Н. Каразіна., Ukraine
  • Микола Іванович Сліпченко д-р фіз.-мат. наук, професор, провідний науковий співробітник Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine
  • Петро Васильович Турбін канд. фіз.-мат. наук, заступник директора з наукової роботи Наукового фізико-технологічного центру МОН та НАН України., Ukraine
  • Борис Миколайович Чічков д-р фіз.-мат. наук, професор Університету ім. Лейбніца, Ганновер, Німеччина., Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.30837/1563-0064.4(83).2018.184697

Ключевые слова:

вуглецеві нанотрубки (ВНТ), дуговий розряд, катодний депозит, механізм росту, мікроструктура, cинтез

Аннотация

Проводиться критичний огляд опублікованих результатів, що стосуються утворення та властивостей катодного депозиту (КД), його ролі в процесі дугового розряду. Описуються оригінальні експериментальні результати власних досліджень авторів. Висловлюється припущення, що в процесі
росту КД першою утворюється жорстка зовнішня оболонка, утворюючи подібну до чаші структуру.

Библиографические ссылки

Micro- and Nanoelectronics: Emerging Device Challenges and Solution (Ed. Tomas Brozek). London-New York: CRC Press (2015).

Courtland R. Moore's law's next step: 10 nanometers . IEEE Spectrum . 54 Vol. 54, Issue 1 , 52 (2017).рP. 52 – 53.

Avouris P., Chen Z., Perebeinos V. Carbon-basedelectronics. Nature Nanotechnology. Vol. 2. Р. 605–615.(2007)

Kim T., Cho M., Yu K. J. Flexible and Stretchable Bio-Integrated Electronics Based on Carbon Nanotube andGraphene. Mater. 11 No7. Р. 1163-1186 (2018).

Xiang L., Zhang H., Hu Y., Peng L.-M., J. Mater.Chem. C 6, 7714 (2018).

C. Wang, K. Takei, T. Takahashi, A. Javey, Chem. Soc.Rev. 42, 2592 (2013).

Khanna V.K. Carbon Nanotube-BasedNanoelectronics. In: Integrated Nanoelectronics.NanoScience and Technology (New Delhi: Springer:2016).

Bisri S.Z., Shimizu S., Nakano M. , Iwasa Y. Adv.Mater. 29, 1607054 (2017).

Kuemmeth F., Churchill H.O.H., Herring P.K. , MarcusC.M. , Mater. Today 13 No3, 18 (2010).

Слипченко, Н. И. Технологические аспектысоздания электронных устройств на основеуглеродных нанотрубок. 1. Методы очисткиуглеродных нанотрубок / Н. И. Слипченко, В. Г.Удовицкий, А. Ю. Кропотов // Радиоэлектроника иинформатика. 2010. № 1. С. 3-14.

Удовицкий В.Г., Слипченко Н.И., Кропотов А.Ю.,Б.Н. Чичков, Ж. фіз. інженер. пов. 2 No2-3, 143(2017).

Nayak R. Carbon Nanotubes: Synthesis Methods. InCurrent and Future Developments in Nanomaterials andCarbon Nanotubes (Ed. J. Narang and C. S. Pundir) 1,(Bentham Science Publishers: 2018).

Das R., Tuhi S.D. Carbon Nanotubes Synthesis.In: Carbon Nanotubes for Clean Water (Ed. R. Das)(Springer International Publishing AG: 2018).

Kroto H.W., Health J.R , O’Brien S.C., Curl R.F.,Smalley R.E. , Nature 318, 162 (1985).

Smalley R.E. Rev. Mod. Phys. 69 No3, 723 (1997).

Kratschmer W., Lamb L., Fostiropoulos K., HuffmanD.R. Nature 347, 354 (1990).

Krаtschmer W., Fostiropoulos K., Huffman D.R.,Chem. Phys. Lett. 170, 167 (1990).

Iijima S., Nature. 354, 56 (1991).

Monthioux M., Kuznetsov V.L., Carbon 44 No9,1621 (2006).

Азаренков Н.А., Орлов В.Д., Слипченко Н.И.,Удовицкий В.Г., Фареник В.И. Обучение иподготовка кадров в области нанотехнологий ииспользование при этом научного наследия // Фізичнаінженерія поверхні. 2009. Т. 7, № 3, vol. 7, No. 3. С.273-280.

Корнилов М.Ю. Хим. и жизнь No8, 22 (1985).

Ando Y., J. Nanosci. Nanotechnol. 10 No6, 3726(2010).

Ebbesen T.W., Ajayan P.M. Nature 358, 220 (1992).

Ando Y., Iijima S. Jap. J. Appl. Phys. 32, L107(1993).

Fetterman A.J., Raitses Y., Keidar M. Carbon 46No10, 1322 (2008).

Keidar M., Shashurin A., Volotskova O., Y. Raitses,I.I. Beilis, Phys. Plasmas 17, 057101 (2010).

Shashurin A., Keidar M. Carbon 46 No13, 1826(2008).

Kiselev N.A., Moravsky A.P. , Ormontc A.B.,Zakharova D.N. Carbon 37 No7, 1093 (1999).

Ng J., Raitses Y. Carbon 77, 80 (2014).

Ando Y., Zhao X., Hirahara K., Suenaga K. ,S. Bandow, Iijim S. , Chem. Phys. Let. 323 No5-6, 580(2000).

Ando Y., Zhao X. New Diam. Front. Carbon Technol.16 No3, 123 (2006).

Ostrogorsky A.G., Marin C. Heat Mass Transf. 42,470 (2006).

Fang X., Shashurin A., Teel G., Keidar M. Carbon107, 273 (2016).

Stratton B.C., Gerakis A., Kaganovich I., Keidar M.,Khrabry A., Mitrani J., Raitses Y., Shneider M.N.,Vekselman V., Yatom S. Plasma Sources Sci. Technol. 27No8, 084001 ( 2018).

Yatom S., Khrabry A., Mitrani J., Khodak A.,Kaganovich I., Vekselman V., Stratton В., Raitses Y.MRS Communicat. 8 No3, 842 (2018).

Raniszewski G., Wiak S., Pietrzak L., Szymanski L.,Kolacinski Z. Nanomaterials 7 No3, 50 (2017).

Raniszewski G., Eur. Phys. J. Appl. Phys. 61 No2,24311 (2013).

Ng J., Raitses Y. J. Appl. Phys. 117, 063303 (2015).

Kosminska Y.O., Perekrestov V.I. Diamond Relat.Mater. 85, 37 (2018).

Harris P.J.F. Carbon 45, 229 (2007).41. Arora N., Sharma N.N. Diamond Relat. Mater. 50,135 (2014).

Keidar M., Shashurin A., J. Li, O. Volotskova,M. Kundrapu, T.S. Zhuang, J. Phys. D: Appl. Phys. 44,174006 (2011).

Karmakar S.https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1705/1705.01150.pdf

Piel A. Plasma Physics. An Introduction toLaboratory, Space, and Fusion Plasmas (SpringerInternational Publishing AG: 2017).

Keidar M., Beilis I.I. Plasma Engineering:Applications from Aerospace to Bio- and Nanotechnology(Elsevier Inc.: 2013).

Anders A. Cathodic Arcs. From Fractal Spots toEnergetic Condensation (Springer-Verlag-New-York-Inc.: 2008).

Juttner B. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, R103 (2001).

Jones J.M., R.P. Malcolm, K.M. Thoma, S.H. Bottrell,Carbon 34 No2, 231 (1996).

Liang F., Tanaka M., Choi S., Watanabe T. J. Chem.Eng. Jpn. 47 No3, 296 (2014).

F. Liang, M. Tanaka, S. Choi, T. Watanabe, Carbon117, 100 (2017).

Tang D., Sun L., Zhou J., Zhou W., Xie S. Carbon 43No13, 2812 (2005).

Ajayan P.M., Redlich Ph., Ruhle M. J. Mater. Res. 12No1, 244 (1997).

Yeh Y-W., Raitses Y., Yao N. Carbon 105, 490(2016).

Mohammad S.N. Rev. Nanosci. Nanotechnol. 2 No5,309 (2013).

Gershman S., Raitses Y. J. Phys. D: Appl. Phys. 49No34, 345201 (2016).

Загрузки

Опубликован

2018-12-27

Выпуск

№ 4(83) (2018)

Раздел

Статті

Лицензия

Copyright (c) 2019 Радиоэлектроника и информатика

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.

The author(s) of a manuscript agree that if the manuscript is accepted  for publication in “Radioelectronics&Informatics Journal”, the published article will be copyrighted using a Creative Commons “Attribution-Non Commercial-Share Alike” license. This license allows the author(s) to retain the copyright, but also allows others to freely copy, distribute, and display the copyrighted work, and derivative works based upon it, under certain specified conditions.