УДОСКОНАЛЕННЯ МЕТОДУ ОТРИМАННЯ ПОРУВАТИХ ПЛІВОК GAAS З ВИКОРИСТАННЯМ НЕЧІТКОГО КОНТРОЛЕРА
DOI:
https://doi.org/10.30837/1563-0064.2(85).2019.184735Ключевые слова:
schottky contact, porous layer, gaas, fuzzy controllerАннотация
Досліджуються структури gaas:sn-gaas: si, на яких фо-рмувався поруватий шар, який отримували аноднимтравленням з боку структури n-gaas:si. в hf:h2o в різнихпропорціях. управління травленням виконується за до-помогою нечіткого контролера, який враховував кон-центрацію кислоти, навколишню температуру, вихі-дну напругу та струм. методом фотолюмінесценції до-сліджується вплив морфології поруватого шару наспектри випромінювання. застосування нечіткого кон-тролера дозволяє отримувати поруваті плівки з макси-мальною рівномірністю поруватості.
Библиографические ссылки
Parkhutik V. Porous silicon-mechanisms of growth andapplications // Sol. St. El. 1999. Vol. 43. P. 1121–1141.
Mimura H., Matsumoto T., Kanemitsu Y. PL properties ofporous Si anodized with various light illuminations // Appl.Surf. Sci. 1996. V. 92. P. 396-399.
Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et al. Inelasticlight scattering and X-ray diffraction from thick free-stand-ing porous silicon films // J. of Luminesc. 1999. Vol.80.Р.193-198.R&I, 2019, No2 7
Boehringer M., Artmann H., and Witt K. Porous siliconin a semiconductor manufacturing environment // J. Mi-croelectromech. Syst. 2012. V. 21(6). P. 1375–1381.
Smith A. Pyrosol deposition of ZnO and SnO2 based thinfilms: the interplay between solution chemistry, growth rateand film morphology // Thin Solid Films. 2000. V. 300. P.47-55.
Erlebacher J., Sieradzki K. and Searson P.C. Computer-Simulations of Pore Growth in Silicon // I Appl. Phys. 1994.V.76, No1. P.182-187.
Aukkaravittaypun S., Thanachayanont C., Theapsiri T.,Veerasai W., Sawada Y., Kondo T., Tokiwa S., Nishide T.Temperature programmed desorption of F-doped SnO2films deposited by inverted pyrosol technique // J. of Ther-mal Analysis and Calorimetry. 2006. V.85. No3. P.811 -815.
Halimaoui A. Porous silicon formation by anodization inProperties of Porous Silicon // Institution of Engineeringand Technology, London. 1997. P. 12–22.
M. du Plessis. Properties of porous silicon nano-explosivedevices // Sensors and Actuators A: Physical. 2007. V. 135,Issue 2, P. 666-674.
Dmitruk N., Kutovyi S., Dmitruk I., Simkiene I., Saba-taityte J., Berezovska N. Morphology, Raman scattering andphotoluminescence of porous GaAs layers // Sensor ActuatB-Chem. 2007. V. 126, 294. P. 293–300.
Newman N., P. van Schilfgaarde et al. Electrical studyof Schottky barriers on atomically clean GaAs(110) sur-faces // Phys. Rev. B. 1986. V. 8. P. 1146–1159.
Altuntaş H., Altındal Ş., Zçelik S., Shtrikman H. Electri-cal characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodeswith and without SiO2 insulator layer at room temperature// Journal of Applied Physics. 2009. V.83, iss.7. P. 1060–1065.
Chen D., Xiuxun H., Xin G. et al. Electrical characteri-zation of Cu Schottky contacts to n-type GaAs grown on(311) A/B GaAs substrates // Journal of Alloys and Com-pounds. 2016. Vol. 84. P. 325–329.
Heng-Yong N., Yasuo N. Pd-on-GaAs Schottky Contact:Its Barrier Height and Response to Hydrogen //Jpn. J. Appl.Phys. 1991. V. 38. P. 906–913.15. Li S. S. Metal – Semiconductor Contacts// Semiconduc-tor Physical Electronics. Boston, MA: Springer US. 1993.PP. 247–286.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2019 Радиоэлектроника и информатика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция — Некоммерческое использование — На тех же условиях») 4.0 Всемирная.
The author(s) of a manuscript agree that if the manuscript is accepted for publication in “Radioelectronics&Informatics Journal”, the published article will be copyrighted using a Creative Commons “Attribution-Non Commercial-Share Alike” license. This license allows the author(s) to retain the copyright, but also allows others to freely copy, distribute, and display the copyrighted work, and derivative works based upon it, under certain specified conditions.